Платформа НАНОФАБ 100: Модуль МЛЭ GaAs
Модуль МЛЭ GaAs предназначен для эпитаксиального роста классических соединений типа AIIIBV на подложках диаметром до 100 мм.
Конструкция модуля позволяет использовать в качестве источников компонентов роста классические эффузионные ячейки, загружаемые твёрдыми материалами, а также газовый источник аммиака. Во время транспортировки в камеру и в процессе роста подложка в держателе располагается горизонтально ростовой поверхностью вниз, что резко уменьшает неконтролируемые загрязнения. Цилиндрическая сверхвысоковакуумная камера, обеспечивает современную "вертикальную" ростовую геометрию с горизонтальным расположением подложки.
Состав Модуля МЛЭ GaAs
- Две криопанели увеличенной площади, обеспечивающие высокую скорость откачки летучих компонент As и минимизирующие вероятность попадания продуктов роста с криопанели в источники материалов;
- трёхстепенной ростовой манипулятор с устройством крепления носителя подложки, обеспечивающий возможность корректировки геометрии роста за счёт значительного (80 мм) вертикального перемещения;
- встроенный анализатор остаточной атмосферы квадрупольного типа;
- фланец блока испарителей, позволяющий установить до 8 молекулярных источников различного типа на фланцы DN63CF симметрично относительно вертикальной оси камеры.
