Платформа НАНОФАБ 100: Кластер МЛЭ

Кластер молекулярно-лучевой эпитаксии предназначен для эпитаксиального роста классических соединений типа AIIIBV и полупроводниковых гетероструктур на основе нитридов III-й группы на подложках диаметром до 100 мм.

Возможно также выращивание материалов системы InAlGaN/GaN с использованием аммиака в качестве источника активного азота.

Габариты кластера - 360х280 см.

В состав кластера входят: 

• Модуль МЛЭ GaAs - модуль МЛЭ соединений типа AIIIBV  
• Модуль МЛЭ GaN - модуль МЛЭ нитридов металлов III группы
• Транспортный модуль - СВВ радиальный транспортный модуль
• Модуль загрузки - модуль загрузки и хранения образцов
• Модуль переворота - СВВ модуль переворота и передачи пластин