Платформа НАНОФАБ 100: Модуль МЛЭ GaN

Модуль МЛЭ GaN предназначен для эпитаксии полупроводниковых гетероструктур на основе нитридов III-ей группы и сконфигурирован для выращивания материалов системы InAlGaN/GaN с использованием аммиака в качестве источника активного азота.
 

Во время транспортировки из шлюза и в процессе роста подложка в держателе располагается горизонтально ростовой поверхностью вниз, что резко уменьшает неконтролируемые загрязнения. Криопанели увеличенной площади предназначены для эффективной откачки летучей компоненты V-й группы, их дизайн уменьшает вероятность попадания продуктов роста с криопанели в источники материалов. Маршевая система откачки на основе высокопроизводительного турбомолекулярного насоса коррозионно-стойкого исполнения позволяет значительно расширить технологические возможности роста гетероструктур в область повышенных потоков аммиака в сочетании с экстремально высокими (>1000°C) температурами подложки.
 

Отличительной чертой конструкции является возможность корректировки ростовой геометрии в заметных пределах за счёт значительного (76 мм) вертикального перемещения ростового манипулятора. Это позволяет совместить в одной камере два рабочих ростовых положения: исследовательское, в котором может проводиться рост без вращения держателя подложки, с активным использованием дифракции быстрых электронов и лазерной интерференции, и обеспечением приемлемой однородности эпитаксиальной плёнки; а также «производственное», при котором рост осуществляется с вращением и обеспечивается высокая однородность на больших диаметрах подложки.