Платформа НАНОФАБ 100: Модули МЛЭ

Платформа НАНОФАБ 100 включает сверхвысоковакуумные модули молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) двух типов - модуль МЛЭ GaAs и модуль МЛЭ GaN. Эти модули предназначены для получения полупроводниковых гетероструктур на основе арсенидов и нитридов металлов III группы и могут быть использованы, в частности, для создания СВЧ приборов и монолитных интегральных микросхем:

MESFET GaAs
pHEMT AlGaAs
Ga(Al)N для мощных СВЧ транзисторов

Сверхвысоковакуумные модули МЛЭ в базовой комплектации включают три камеры: ростовую, шлюзования и подготовки. Цилиндрические ростовые камеры обеспечивают современную "вертикальную" ростовую геометрию с горизонтальным расположением подложки. Она содержит:

Две криопанели увеличенной площади, обеспечивающие высокую скорость откачки аммиака или летучих компонент V-й группы (в основном As)
Трёхстепенной ростовой манипулятор с устройством крепления носителя подложки, обеспечивающий возможность корректировки геометрии роста за счёт значительного (80 мм) вертикального перемещения
Встроенную систему дифракции быстрых электронов на отражение в составе электронной пушки 20 кэВ и люминесцентного экрана
Фланец блока испарителей, позволяющий установить до 8 молекулярных источников различного типа на фланцы DN63CF симметрично относительно вертикальной оси камеры.