Платформа НАНОФАБ 100: Модули ПП
Группа модулей плазменных технологий включает в настоящее время модуль плазмохимического травления - модуль ПХТ, модуль плазмохимической очистки - модуль ПХО и модуль плазмо-химического осаждения из газовой фазы - модуль ПХГФО.
Плазменные модули являются полностью автоматизированными шлюзовыми установками поштучной обработки полупроводниковых пластин. Они снабжены генератором плазмы высокой плотности со своим ВЧ-генератором возбуждения плазмы (частотой 13.56 МГц) и специальным столом с подачей от независимого генератора ВЧ-смещения для вытягивания и ускорения ионов из плазмы.
Конструкция генератора плазмы и стола травления позволяют получать на обрабатываемых подложках потоки ионов 5-10 мА/см2 и более с регулируемой генератором смещения подложки энергией от 20 до 300 эВ и более. Для улучшения теплоотвода от подложки предусмотрен так называемый «гелиевый теплоотвод». Это подразумевает подачу гелия между подложкой и поверхностью стола, что позволяет поддерживать небольшой перепад температур между поверхностью электрода и подложки.
Плазменные модули реализуют следующие технологии:
- Субмикронное скоростное травление диэлектриков (SiO2, Si3N4) со скоростями порядка 1 мкм/мин
- Травление металлов, в том чмсле и чисто ионное травление золота, меди и других металлов, не образующих летучих соединений, травление производится через резистивные и металлические маски (скорость травления по золоту более 0.2 мкм/мин)
- Травление монокристаллического кремния в различных типах процессов. Конструкция установок допускает применение «криогенного стола», скорость травления кремния ограничена только откачными средствами и может достигать 5 мкм/мин
- Травление арсенида и нитрида галлия в производстве пп лазеров и светодиодов, в том числе областей под омические контакты
- Травление полиимида с высокими скоростями, снятие резиста
- Обработка в плазме водорода и в атомарном водороде.
- Осаждение в плазме на одиночных пластинах диаметром до 100 мм или на нескольких пластинах эквивалентной суммарной геометрии массивов углеродных нанотрубок (УНТ).
|
Технические характеристики
|
| Предельный вакуум в рабочей камере (Па) |
2,5х10-4 |
Количество каналов рабочих газов
количество каналов агрессивных газов (Cl2, SiCl4 и т.д.) |
до 8
до 4
|
| Расход рабочих газов, л/час |
0 - 3,6 |
| Частота напряжения смещения |
100 кГц или 13,56 МГц |
| Мощность подаваемая на столик (Вт) |
до 900 |
| Равномерность на Ø 100 мм при травлении SiO2 (%) |
менее 1 % |
| Диапазон рабочих давлений (Па) |
5х10-2 - 5 |
| Необходимые подключения |
| - холодная вода с температурой от +5 до 20оС , под давлением 3±1 атм |
| - сжатого воздуха под давлением 5-6 атм. |
| - рабочих газов марки ОСЧ под давлением 1-5 атм |
| - выхлопа форвакуумных агрегатов к вытяжной вентиляции |