Технологическое оборудование: ЭТНА-100-ПТ
Установка плазмохимического травления предназначена для:
- Плазменной очистки образцов диаметром до 100 мм перед последующими технологическими операциями
- Плазмохимического реактивного травления , в том числе через маску широкого спектра материалов (полупроводники Si, Ge, GaAs, GaN, AII BVI, металлы, диэлектрики, оксиды, нитриды)
- Удаления резистивных масок после операций фотолитографии.
В производстве МЭМС актуальным становится создание развитых периодических объемных структур посредством плазмохимического травления через маскирующие слои. Создание высокоплотной плазмы с раздельным управлением плотностью и концентрацией активных ионов и радикалов для решения этой задачи возможно лишь с использованием двух источников – индуктивного и емкостного. Их наличие в сочетании с эффективным охлаждением подложки с целью повышения стойкости маски, и возможностью реализации так называемого Bosch процесса позволяют с успехом интегрировать установку в технологическую цепочку изготовления МЭМС.
