Размер: 700x700x40nm
Ge(Si) островки, выращенные на релаксированном SiGe буферном слое
Изображение получено Шалеев Михаил Владимирович. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия.
Образец предоставлен А.В.Новиков, И.Ю.Шулешова, М.В.Шалеев Институт физики микроструктур РАН.
|
Название: Ge(Si) островки, выращенные на релаксированном SiGe буферном слое
Ge(Si) островки, выращенные на релаксированном SiGe буферном слое
Изображение получено Шалеев Михаил Владимирович. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия.
Образец предоставлен А.В.Новиков, И.Ю.Шулешова, М.В.Шалеев Институт физики микроструктур РАН. |
