Читать NT-MDT в Твиттере Читать NT-MDT в Facebook
Онлайн-сервис! АСМ зонды Запрос информации

Галерея сканов: Релаксированный SiGe буферный слой после многократной предростовой химподготовки

Название: Релаксированный SiGe буферный слой после многократной предростовой химподготовки

Релаксированный SiGe буферный слой после многократной предростовой химподготовки

Изображение получено Шалеев Михаил Владимирович. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия.
Образец предоставлен А.В.Новиков, И.Ю.Шулешова, М.В.Шалеев Институт физики микроструктур РАН.

« Ge(Si) островки, выращенные на релаксированном SiGe буферном слое
Комплексное аналитическое
оборудование для
наноцентров – продукция NTI
Первое приложение
для Нано
теперь доступно
в iTunes App Store
НТ-МДТ сертифицирована по
ГОСТ Р ИСО 9001-2001 и международной
системе качества ISO 9001:2000
Copyright © 1998 - 2012, NT-MDT