Галерея сканов: SiGe/Si(001)

SiGe/Si(001) релаксированный буферный слой (выращенный методом газофазной эпитаксии) подвергнутый травлению.

Изображение получено Шалеев Михаил Владимирович. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия.
Образец предоставлен Кузнецов Олег Александрович, Новиков Алексей Витальевич, Шулешова Ирина Юрьевна, Шалеев Михаил Владимирович. Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия, Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ им.Н.И.Лобачевского Нижний Новгород, Россия.