Галерея сканов: СТМ литография

СТМ изображение LB пленки после локального воздействия электрических импульсов (длительность t=15мс, напряжение U=5В, расстояние между импульсами S=0,5nm). Хорошо видемый дефект указывает на другой механизм поверхностной трансформации - формирование изолирующей области. LB пленка сформирована на приборе MDT-LB5.

Изображение предоставлено В.Быковым, Государственый Исследовательский Институт Физичесих Проблем и НТ-МДТ, Москва, Россия.


V.A.Bykov. Langmuir-Blodgett films and nanotechnology. Biosensor & Bioelectronics Vol. 11, No. 9, pp.
923-932, 1996