I(z) Спектроскопия

I(z) Спектроскопия тесно связана с ЛВБ спектроскопией и может быть использованан для получения информации о z-зависимости микроскопической работы выхода поверхности. Другое важной использование I(z) Спектроскопиисвязано с тестированием качества СТМ зонда.
Туннельный ток IT в  СТМ экспоненциально затухает с расстоянием зонд-образец z как

 I_T ~ exp(-2kz),

где константа затухания к определяется выражением 

2k = 2(2mU/h2)^1/2

U есть средняя работа выхода U_av = (U_s + U_t )/2, где U_t и U_s являются работами выхода материалов зонда и образца соответственно.
В I(z) Спектроскопии измеряется туннельный ток в зависимости от расстояния зон-образец в каждой точке СТМ изображения. Для U_av = 1 eV 2k = 1.025 A^-1eV^-1.
Резкая зависимость I(z) помогает определить качество острия зонда. Как установлено эмпирически если туннельный ток I_T падает в два раза при Z < 3 A, то  острие рассматривается как очень хорошее, если при  Z < 10 A, то использование острия возможно для получения атомарного разрешения на  ВОПГ. Если же ток спадает в два раза при Z > 20 A, то  этот зонд не может быть использован и должен быть заменен. 

    Ссылки

• G. Binnig and H. Rohrer: Surf. Sci. 126 (1983) 236. Rep. Prog. Phys. 55, 1165-1240 (1992).

    Download Flash model